Carbeto de Silício Preto
Silicon Carbide

Carbeto de Silício Preto

Abrasivo de carbeto de silício preto extremamente duro com arestas cristalinas afiadas para retificação agressiva, corte e jateamento.

Especificacoes

SiC
≥98%
Carbono livre
≤0.3%
Densidade aparente
1.45-1.65 g/cm³
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Caracteristicas

  • Dureza extrema (Mohs 9,5)
  • Arestas cristalinas afiadas
  • Excelente condutividade térmica
  • Inércia química

Aplicacoes

Retificação de metais não ferrososCorte de pedraSerragem por fio de wafers de silícioJateamento abrasivo

Industrias

Energia solarProcessamento de pedraAutomotivoEletrônica

O carbeto de silício preto é tipicamente produzido pelo processo Acheson, onde areia de sílica e coque de petróleo são reagidos a temperaturas muito elevadas em um forno de resistência elétrica. O material cristalino resultante é britado, purificado e classificado nos tamanhos de grão ou pó requeridos. Esse processo cria um abrasivo muito duro, angular, com alta condutividade térmica e forte estabilidade química, tornando-o adequado para tarefas exigentes de corte e retificação.

Com dureza em torno de Mohs 9,5, o SiC preto corta de forma mais agressiva que muitos abrasivos à base de alumina e apresenta desempenho especialmente bom em metais não ferrosos, pedra, vidro e materiais à base de silício. Suas arestas cristalinas afiadas suportam rápida remoção de material, enquanto sua condutividade térmica ajuda a afastar o calor da zona de retificação. No entanto, comparado com abrasivos mais tenazes, o carbeto de silício é mais frágil, o que pode ser uma vantagem no corte de precisão, mas uma limitação em aplicações que exigem durabilidade máxima dos grãos.

Ao comparar opções abrasivas, o carbeto de silício preto é frequentemente selecionado para corte mais afiado e materiais de peça mais duros, enquanto as classes de alumina fundida são frequentemente preferidas onde a tenacidade e a vida útil mais longa dos grãos são mais importantes. Os compradores devem avaliar a qualidade cristalina, a friabilidade e o controle de impurezas para garantir desempenho consistente na serragem de wafers, processamento de pedra, jateamento e operações de retificação especializadas.